返回主站|会员中心|保存桌面|手机浏览
普通会员

深圳大芯超导有限公司

CREE碳化硅SiC MOSFET国产替代,英飞凌碳化硅SiC MOSFET国产替代,Wolfspeed碳化硅...

产品分类
  • 暂无分类
站内搜索
 
友情链接
首页 > 欢迎光临
一键去除广告广告推荐
推荐产品
公司介绍
大芯超导有限公司元器件专业分销商

BASiC基本半导体650V/1200V Hybrid IGBT 单管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点,具备出色的开关速度和更低的开关损耗,TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射极端子,绕过栅极控制回路上的发射极引线电感,从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并降低开关能量。主要规格有BGH50N65HF1(IKW50N65RH5国产替..关损耗大幅降低,适用于车载电源充电机(OBC)、通信电源、高频DC-DC电源转换器、储能等领域。

高效逆变器用 HERIC 电路和相关工艺可用于单相逆变器,该拓扑是在H桥的桥臂两端加上两个反向的开关管进行续流,以达到续流阶段电网与光伏电池隔离的目的,尤其是在低功率范围内(如屋顶光伏系统),其基于传统H4电路上在交流侧加入旁路功能的第五、六开关。其有效隔离了零电平时候交流滤波电感L与寄生电容C之间的无功交换,提升系统效率,且降低寄生电容上的电压高频分量,消除漏电流,通过利用BASiC基本半导体SiC碳化硅功率半导体的开关损耗低特性,单相HERIC电路中,用单一器件BASiC基本半导体650V混合SiC-IGBT单管可以有效降低高频管的损耗,显... [详细介绍]
最新供应